6英寸SiC基础1200V/10A级Schottky Barrier Diode元件技术

公司名称：
融合零部件技术中心
技术名称 : 
6英寸SiC基础1200V/10A级Schottky Barrier Diode元件技术
技术介绍：
6英寸SiC基础Schottky Barrier Diode元件的技术，包括1200V/10A级SiC Schottky Barrier Diode元件的工艺、元件制作、设计layout、技术文件等
技术亮点:
开发技术的内容是使用6英寸SiC晶片，对1200V/10A SiC Schottky Barrier Diode的设计、制作和评价，如果使用现有4英寸SiC晶片，比使用6英寸时，可以确保元件制造技术及产品的价格竞争力。