基本信息
姓名：李彬
职称：研究助理教授
电 话（办公室）：
办公室地址：慧园3栋121
邮 箱：lib3@sustech.edu.cn
研究领域：薄膜量子材料生长与表征
教育背景
2003.09-2007.06 学士（材料科学与工程） 河北工业大学
2012.09-2017.11 博士（物理） 香港大学
工作经历
2007年9月 - 2012年6月 中科院苏州纳米所测试分析平台 研究实习员
2016年12月- 2017年1月 南方科技大学物理系 访问学者
2017年5月- 2017年10月 南方科技大学物理系 访问学者
2017年11月- 2019年4月 南方科技大学物理系 高级研究学者
2019年5月-至今 南方科技大学量子科学与工程研究院 研究助理教授
论文及专利
[1] Yipu Xia, Bo Wang, Junqiu Zhang, Yue Feng, Bin Li, Xibiao Ren, Hao Tian, Jinpeng Xu, Wingkin Ho, Hu Xu, Chang Liu, Chuanhong Jin and Maohai Xie*, Hole doping in epitaxial MoSe2 monolayer by nitrogen plasma treatment, 2D Materials, 5(4): 041005, (2018).
[2] B. Li, W.G. Chen, X. Guo, W. K. Ho, X.Q. Dai, J.F. Jia, M. H. Xie*, Strain in Epitaxial High-
Index Bi2Se3(221) Films Grown by Molecular-Beam Epitaxy, Applied Surface Science 396, 1825-1830
(2017).
[3] B. Li, Y. P. Xia, W. K. Ho, M. H. Xie*, Suspended Ga2Se3 Film and Epitaxial High-index
Bi2Se3 on GaSb(001) by Molecular-Beam Epitaxy, Journal of Crystal Growth 459, 76-80 (2017).
[4] B. Li, Q. S. Lu, S. G. Xu, Y. P. Xia, W. K. Ho, N. Wang, C. Liu*, M. H. Xie*, Induced robust
topological order on an ordinary insulator hetero-structured with a strong topological insulator,
arXiv:1611.04688 [cond-mat.mtrl-sci].
[5] P. Shang, X. Guo, B. Zhao, X. Dai*, B. Li, J. Jia, Q. Li*, M. Xie*, Nanoclusters of CaSe in
calcium-doped Bi2Se3 grown by molecular-beam epitaxy, Nanotechnology 27, 085601 (2016).
[6] B. Li, X. Guo, W. K. Ho, M. H. Xie*, Strain in epitaxial Bi2Se3 grown on GaN and graphene
substrates: A reflection high-energy electron diffraction study, Applied Physics Letters 107, 081604
(2015).
[7] W. He, S. L. Lu, J. R. Dong*, Y. M. Zhao, X. Y. Ren, K. L. Xiong, B. Li, H. Yang, H. M. Zhu,
X. Y. Chen, X. Kong, Structural and optical properties of GaInP grown on germanium by metalorganic
chemical vapor deposition, Applied Physics Letters 97, 121909 (2010).
https://siqse.sustech.edu.cn/Zh/Index/staff_detail/mid/58/id/513
出处：量子科学与工程研究院
