人物简介：
夏建白，1939年生于上海，原籍江苏苏州，半导体物理专家，中国科学院院士，中国科学院半导体研究所研究员。
1965年北京大学物理系研究生毕业。1965年北京大学物理系研究生毕业，留校物理系任教。1970年在西南物理研究院从事等离子体物理研究。1978年到中国科学院半导体研究所从事半导体和凝聚态物理等领域的研究。
夏建白的主要研究领域为半导体理论，包括：半导体微结构电子态、磁性半导体和自旋电子学、量子相干态的产生、输运和弛豫效应等。
人物经历：
1950-1956年，就读上海市西中学。
1956年，17岁夏建白考取北京大学物理系，进大学后分配专业，他根据自己的志愿选择攻读“理论物理”专业，在校期间对黄昆先生的固体物理课印象最深刻，
1962年，他报考了黄昆先生的研究生，意欲主攻固体物理学研究，在复习2个星期后，夏建白考了100分，事后，当他再次反思此事时，坚定了一个道理：“兴趣和天赋是事业成功很重要的因素。”他当初的选择是正确的。
1965年，北京大学物理系研究生毕业，留校物理系任教。
1970年，在西南物理研究院从事等离子体物理研究。
1978年，中国科学院半导体研究所恢复工作后的第二年，夏建白从四川来到研究所从事半导体和凝聚态物理等领域的研究。
1989年，获得中国科学院自然科学一等奖
1993年，获得国家自然科学二等奖。
1998年，获得中国科学院自然科学一等奖。
2001年，62岁的夏建白当选为中国科学院院士。
2004年，获得国家自然科学二等奖。
2005年，获得何梁何利基金科学与技术进步奖。
工作经历：
1966年9月至1971年9月北京大学物理系能谱研究室助教
1971年9月至1978年12月二机部西南585所助研（现西南物理研究院）
1978年12月中国科学院半导体研究所助研、研究员
1984年2月至1985年10月瑞士洛桑高工访问学者
1985年10月至1986年9月意大利国际理论物理中心访问教授
1989年9月至1990年3月美国伊里诺大学访问教授
1991年11月至1992年5月美国伊里诺大学访问教授
1994年1月至1994年4月香港浸会大学访问教授
1996年1月至1996年5月香港浸会大学访问教授
1998年3月至1998年6月香港浸会大学访问教授
2000年2月至2000年6月香港科技大学访问教授
2001年8月至2001年10月巴西圣保罗大学访问教授
主要成就：
在低维半导体微结构电子态的量子理论及其应用方面进行了系统的研究。提出量子球空穴态的张量模型，获得重轻空穴混合的本征态，并给出正确的光跃迁选择定则。提出介观系统的一维量子波导理论，对任意复杂的一维介观系统给出了直观、简单的物理图象和解析结果。提出(11N)取向衬底上生长超晶格的有效质量理论，提出计算超晶格电子态的有限平面波展开方法，用赝势理论研究了长周期超晶格，提出半导体双势垒结构的空穴隧穿理论。
1987年，集中于半导体超晶格理论研究，在发展半导体超晶格、微结构电子态理论方面作出了创造性的贡献，在国际多种核心刊物上发表科学论文100多篇。
其中包括：
1、国际上首先提出了量子球空穴态的张量模型，得到了正确的光跃迁选择定则；
2、国际上首次提出了介观系统的一维量子波导理论，得到了一维介观系统中波函数的两个基本方程，类似于电路的克希霍夫定律；
3、国际上首先提出了（11N）衬底超晶格的有效质量理论；
4、国际上首先从理论上研究了空穴共振隧穿现象，发现了在隧穿过程中轻、重空穴互相转化的结果；
国际上首次提出了计算超晶格电子结构的有限平面波展开方法，利用赝势理论研究了长周期超晶格的电子结构，解决了平面波方法不能用于计算大元胞晶体电子态的困难。
承担课题：
1、973国家重点基础研究项目：IT前沿中的固态量子结构
2、国家自然科学基金创新团队：半导体低维结构中的量子调控
3、国家自然科学基金重点项目：材料尺寸效应及其相关物理问题
4、国家自然科学基金面上项目：半导体的自旋电子学
专著《半导体超晶格物理》获1998年全国优秀科技图书一等奖，国家图书提名奖。《现代半导体物理》获2001年全国优秀科技图书三等奖。
人物评价：
作为世界著名物理学家、中国半导体物理学奠基人，中国科学院院士夏建白的事业也有如他健步如飞的生活风格，从上世纪80年代开始，他首先提出的量子球空穴态张量模型、国际上首次提出了介观系统的一维量子波导理论，国际上首先提出了（11N）取向衬底生长超晶格的有效质量理论，国际上首先提出半导体双势垒结构的空穴隧穿理论。
