石武
青年研究员
Email:
shiwu@fudan.edu.cn
个人简介：
石武， 男，生于1 984 年，2 006 年本科毕业于清华大学物理系，2 011 年在香港科技大学物理系获得博士学位。2 011 至 2017 年分别在日本东京大学应用物理系和美国劳伦斯伯克利国家实验室材料科学部任博士后研究员，2 017 年至2 020 年担任劳伦斯伯克利国家实验室材料项目科学家。2 020 年1 0 月加入复旦大学微纳电子器件与量子计算机研究院，任职青年研究员。长期从事低维 量子材料的生长表征，微纳器件制备与物性调控，低温输运和超导特性研究等；曾改进基于离子液体的双电层场晶体管技术，提升了离子液栅载流子调控能力，在半导体一维和二维材料中实现新的场致超导电性；提出新的可控电子束曝光技术，突破传统固态栅极调控的局限，在二维范德华异质结材料中实现高载流子浓度的非易失性掺杂以及纳米尺度的精准调控。已在Nature Electronics等学术期刊发表SCI论文2 7 篇， google 学术总引用1 200 余次，高被引论文3篇。
科研经历和研究方向：
石武博士先后在香港科技大学， 日本东京大学，美国加州大学伯克利分校和劳伦斯伯克利国家实验室从事低维量子材料及微纳器件相关研究工作。其研究方向聚焦在低维量子材料以及其薄膜异质结构的物性调控。特别是发展和应用基于离子液体的电双层场效应晶体管和可控电子束曝光等载流子浓度调控技术，结合微纳电子器件制备和低温输运测量，探索在低维电子体系中场效应诱导的奇异物理现象，例如电场诱导的金属绝缘体转变，界面超导，结构相变和铁磁相变等。在揭示新的物理现象的基础上构造和实现基于低维量子材料的新型高性能和低功耗的电子器件。
Research Interest:
Dr .Shi’s laboratory focuses on the study of low-dimensional quantum materials and their applications in nano-electronic devices. Of particular interest is the control of exotic electronic states of low-dimensional quantum materials and related van der Waals heterostructures. We develop and utilize multiple carrier density modulation techniques including ionic liquid based electrical double layer transistors (EDLTs) and controllable electron beam doping, in combination with nanofabrication and low-temperature transport techniques, to explore novel quantum phenomena in low-dimensional electron systems, such as electric-field induced metal-insulator transition, interfacial superconductivity, structural phase transition, ferromagnetic transition and so on. We aim to uncover new physical phenomena and construct new types of high-performance and low-power electronic d evices based on low-dimensional quantum materials.
来源：复旦大学微纳电子器件与量子计算机研究院
