成果介绍
由于此类材料提供的集成和极端小型化的有利前景，低维层状材料中的单光子发射器（SPEs）最近引起了极大的研究兴趣。然而，迄今为止，基本上缺乏对量子发射器空间位置和发射波长的准确控制，从而阻碍了朝着可扩展量子光子器件发展的进一步技术步骤。
有鉴于此，近日，法国巴黎-萨克雷大学Aymeric Delteil教授团队证明了高纯度合成的六方氮化硼（hBN）中的SPEs，可以在选定位置通过电子束激活。SPE 系综的空间精度优于立方发射波长，从而为集成在光学微结构中开辟了道路。在非共振激光激发下，随后在高达室温的可见光范围内观察到稳定和明亮的单光子发射。此外，低温发射波长是可重复的，整体分布宽度为3 meV，统计的色散比外延hBN样品中获得的最窄波长扩展低一个数量级以上。本文的研究发现是实现基于2D材料中相同量子发射器的自上而下集成器件的重要一步。
图文导读
图1。 hBN薄片上SPEs局部系综的激活。
图2。 单个SPE在室温下的光物理表征。
图3。 单个SPE性质统计的色散。
图4。 低温（5 K）下单个SPEs的光谱特性。
来源：低维 昂维
