光刻机被誉为工业皇冠上的明珠，尤其是在硅基芯片领域，其光芒最为耀眼，尽管制造工艺迭代更新很快，可光刻设备始终处于无可替代的地位。
老美之所以敢以修改芯片规则的代价针对华为，正是由于它手里握着EUV光刻机这把“利器”，并妄图凭此来遏制中国高科技的发展脚步。
为了实现芯片自主，突破光刻机这座“大山”，中科院等国内顶尖科研团队决定跑步入场，并成立了专项攻关小组。
在这种情况下，能否研发出高端国产光刻机，可以说聚焦了无数国人希冀的目光。
然而，美国科学家却表示，即便给我们EUV光刻机的图纸，我们短时间内也难以造出。
事实也的确如此，虽然ASML是能够量产EUV光刻机的唯一厂商，可90%以上元器件都需要进口，对我们而言，若想实现光刻自主，就需要先解决掉大约10万个元器件的进口问题。
这是一道几乎无解的难题。
不过需要强调的是，围绕光刻设备发展到今天的硅基芯片，其工艺已经逼近物理极限，也就是摩尔定律。以最先进的台积电来看，5nm工艺已经十分成熟，据说3nm工艺也已完成流片，明年便可量产，但有关2nm、1nm工艺的芯片，却从未有半点消息。
台积电并非不想在3nm工艺的基础上再进一步，何况半导体领域的竞争如此激烈，其身后的三星时刻都准备着反超。之所以会停留在3nm工艺水平，是因为再往下即便是造得出来，良品率也难以保证，而且芯片上集成电路的驱动功能很可能面临失效的局面，这样的成本显然超出了商业范畴，是任何企业都难以接受的。
寻找新型半导体材料或者新一代芯片，成了全球各大芯片企业的主要发展方向。
在华为等国产科技企业被老美断供芯片之时，工程院士张钹教授曾给出了这样的观点：我们需要选择新灯塔、新航道。
与其一头扎进“南墙”碰得头破血流，倒不如好好看看“墙”的周围有没有别的道路。
科技的魅力在于创新，而非模仿与守旧。
在新航道上，近日国防科技大学传出喜讯，引起了美科技界的一片哗然：“钻研光刻机原来只是幌子，中国科学家在芯片产业上早有布局”。
消息显示，国防科技大学已经研发出了一种新型的光量子芯片，彻底完成了全球范围内量子理论技术到实践应用的转变。
量子芯片被誉为半导体驱动的终极形态，不仅传输效率快，而且有着安全盾的美称，要知道老美构陷华为正是以硅基芯片设备的安全为由，倘若量子芯片完成替代，就不会再有人信它的谎言。
综合来看，量子芯片的性能超硅基芯片十倍有余，更关键的是，国防科技大学在没有光刻机的前提下便完成了研发，这意味着，我们完全可以绕开光刻机，将量子芯片作为未来的主攻方向。
可惜的是，量子芯片距离工艺完全成熟还有一段距离，虽已完成研发，但若想实现大规模量产商用，还需要成本的综合计算与应用领域的广泛测试。
量子芯片代表的是未来，要知道，我们之所以会在硅基芯片领域被“卡脖子”，就是由于没有扎实的基础技术，起步较晚的事实无法改变。庆幸的是，在量子领域，我们已经迎头赶上，并实现反超。
相信随着中国科学家们的努力和持续研发创新，我们一定能建立科技自主的“护城河”，在即将到来的量子时代完成华为的逆转，改变此前一直由西方主导的全球芯片格局！
来源 ： 腾讯网-静想你的彩虹
